半导体结构的制作方法以及半导体结构

本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构。该方法包括：首先，提供基底，基底包括衬底、位于衬底的表面上的绝缘层、位于绝缘层的远离衬底的表面上的介质层、位于介质层中的第一凹槽以及至少位于第一凹槽的内壁上的阻挡层；之后，在第一凹槽内的阻挡层的裸露表面沉积第一金属层，第一凹槽中除阻挡层和第一金属层之外的区域形成第二凹槽中沉积第二金属层，第二金属层的沉积温度高于第一金属层的沉积温度；最后，在第二金属层、第一金属层以及阻挡层的裸露表面上沉积第三金属层，第三金属层的沉积温度低于第二金属层的沉积温度。该方法解决了现有技术中半导体制作工艺中沉积金属层易产生须状缺陷的问题。