半导体器件的制作方法、半导体器件以及晶体管

本申请提供了一种半导体器件的制作方法、半导体器件以及晶体管，该方法包括：首先，提供包括相邻的第一区域以及第二区域的基底，第一区域包括间隔设置的多个第一子区域以及间隔设置的多个第二子区域；然后，对多个第一子区域以及第二区域进行第一预定处理，且使得第二区域的部分形成预备掺杂区域；之后，对多个第二子区域以及预备掺杂区域进行第二预定处理，使得多个第二子区域形成第二掺杂区域，预备掺杂区域形成目标掺杂区域；最后，在基底的部分表面上形成第一器件层，得到第一器件，且在基底的部分表面上形成第二器件层，得到第二器件。保证了第二器件的开启电压较小，保证了半导体器件的性能较好。